Миниатюризация кремниевой технологии становится с годами всё более сложной. Это связано, в первую очередь, с прогрессирующими токами утечки внутри микросхемы – несанкционированным движением электронов через транзисторы в выключенном состоянии. Согласно заметке на сайте BBC, объединённая команда физиков из Германии и Швеции, под общим руководством Хайко Вебера (Heiko Weber), профессора Университета Фридриха-Александра, предложила свой вариант решения данной проблемы, и связан он с применением графена.

Учёные создали аналог полевого транзистора с некоторыми изменениями. Так, роль металлических электродов в нём играют тонкие графеновые полоски, соединенённые с полупроводником из карбида кремния. Для образования затвора транзистора учёные использовали так называемый барьер Шоттки – феномен непроходимости тока в случае отсутствия химической связи между графеном и углеродно-кремниевой подложкой. Соответственно, полоски графена, имеющие такую связь, являются входом и выходом транзистора.

Исследователи проводили свою работу в очень крупном масштабе: каждый транзистор имеет размеры в 100 микрометров (100 тыс. нанометров), поэтому судить о частотном потенциале таких транзисторов, опираясь на результаты тестирования прототипа, нельзя. Тем не менее, можно сделать вывод, что технология создания графенового транзистора разработана, и теперь дело осталось за корпорациями, которые возьмутся за её шлифовку и создание реально действующей электроники.
overclockers.ru